43nmから32nmへの切り替えを推進、大容量化と小型化を実現
東芝は27日、32nmプロセスを採用して、1チップで世界最大となる32Gbit（4GB）の大容量を実現したNAND型フラッシュメモリを製品化し、同日よりサンプル出荷を開始すると発表しました。
当初計画から2カ月前倒しを行い、2009年7月から四日市工場での量産を開始して、16Gbit（2GB）品についても、7月からサンプル出荷を開始後、2009年度第3四半期（10-12月）から量産を開始する予定。
32nmプロセスのデザインルールを適用したNAND型フラッシュメモリ製品を出荷するのは世界初だといいます。
出荷当初はメモリカードやUSBメモリを中心に展開して、順次組み込み用途製品などへ展開していく計画で、最先端の微細化技術を駆使して、チップサイズを小さくすることで、生産効率を向上するだけでなく、小型パッケージでの大容量製品ラインアップを充実させることができるとしています。
今後も当社は、メモリ事業の微細化・多値化の新技術開発を継続するとともに、生産効率改善を進めることにより、競争力強化に向けた施策を積極的に推進していきます。