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NECエレと東芝、IBMとの28nm低消費電力半導体開発で提携拡大

32nmシステムLSIに続き、28nmでも共同開発=効率化と予算縮小

 

IBM、NECエレクトロニクス、東芝は18日、民生機器向け28nm半導体プロセス技術の共同開発を行うことに合意したと発表しました。

 

これによると、NECエレクトロニクスと東芝は、IBMのテクノロジー・アライアンスに参加し、high-kメタルゲートを採用した28nmの低消費電力バルクCMOSプロセス技術を共同で開発するということです。この共同開発は、米国ニューヨーク州イースト・フィッシュキルにあるIBMの施設で行われます。
すでに東芝は2007年12月から、NECエレクトロニクスは2008年9月から、IBMのhigh-kメタルゲートを採用した32nmプロセス技術開発アライアンスに参加しています。

 

低消費電力版28nmプロセス技術は、次世代モバイル向け通信機器や様々なコンシューマ向け電子機器の処理速度向上と低消費電力化に貢献するとされています。

 

IBMのテクノロジー・アライアンスには、NECエレクトロニクスと東芝のほかにも、チャータード・セミコンダクター、GLOBALFOUNDRIES、インフィニオンテクノロジーズ、サムスン電子、STマイクロエレクトロニクスが参加しています。

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